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        安世半導體發布晶圓級12和30V MOSFET

          安世半導體消息,公司近日宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE30V N溝道小信號Trench MOSFET,該產品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝,具有市場領先的RDS(on)特性,在空間受限和電池續航運行至關重要的情況下,可使電力更為持久。

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